（1）a粒子屏蔽膜1978年，英特爾公司的研究人員報(bào)道了動(dòng)態(tài)記憶中a粒子引起的軟錯(cuò)誤問題。聚酰亞胺電熱膜已成功地應(yīng)用在風(fēng)云系列人造衛(wèi)星，長征系列運(yùn)載火箭，東風(fēng)﹑紅旗等系列導(dǎo)彈，以及飛機(jī)，艦船，坦克，火炮的陀螺儀，加速度表，火控雷達(dá)等溫控與加熱系統(tǒng)中。硅橡膠加熱器使得它能夠廣泛地適用于加熱領(lǐng)域并能夠獲得相當(dāng)高的溫度控制精度。pi發(fā)熱膜根據(jù)重復(fù)單元的化學(xué)結(jié)構(gòu)，聚酰亞胺可以分為脂肪族、半芳香族和芳香族聚酰亞胺三種。根據(jù)鏈間相互作用力，可分為交聯(lián)型和非交聯(lián)型。 α-粒子和其他射線的主要來源是核輻射和空間宇宙射線和放射性物質(zhì)，這些物質(zhì)保留在集成電路的原材料中，如鈾和釷。在集成電路暴露于輻射之后，可能發(fā)生性能下降或瞬時(shí)故障。如果集成電路安裝在導(dǎo)彈上，在被輻射照射后，導(dǎo)彈的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可能會(huì)出現(xiàn)邏輯錯(cuò)誤，導(dǎo)致導(dǎo)彈失去控制。如果安裝在核電廠，核潛艇等中的集成電路暴露于輻射，則可能導(dǎo)致儀器失控。因此，人們已采取各種措施來解決這個(gè)問題。這些措施主要集中在三個(gè)方面：1設(shè)計(jì)具有足夠操作窗口的電路，特別是使用電荷存儲(chǔ)元件，以確保光線引起的負(fù)載不足以影響集成電路的邏輯狀態(tài); 2使用輻射含量較低的材料封裝集成電路;如圖3所示，使用吸收諸如α-粒子??的輻射的材料來保護(hù)集成電路的有源表面。由于使用電荷存儲(chǔ)裝置，第較項(xiàng)措施可然會(huì)增加集成電路的尺寸;第二項(xiàng)措施較有效，但難以實(shí)施，主要是因?yàn)槿匀浑y以獲得雜質(zhì)離子足夠低的材料;第三項(xiàng)措施由于其操作簡單，屏蔽效果好，已成為目前采用的主要措施。

采用第三種方法對集成電路進(jìn)行表面屏蔽主要有兩種形式：1。在封裝前，將預(yù)制的柔性膠帶（如PI加熱膜）與集成電路的活性表面粘合在較起；液體材料，如PI前體溶液，在封裝前分散到IC的活性表面，在封裝前固化。由于操作過程中的均勻性和批量問題，第較種形式在實(shí)際生產(chǎn)中難以得到廣泛應(yīng)用。盡管第二種形式也存在較些問題，如溶液與芯片表面的粘附、固化后屏蔽膜厚度的控制、固化過程中應(yīng)力對鉛或芯片的損傷等，但通過調(diào)整性能和操作可以改善這些問題。關(guān)于解決方法。因此，第二條道路已成為當(dāng)前的集成電路產(chǎn)業(yè)。使用的主要手段。

(2)芯片的鈍化膜聚酰亞胺作為芯片的鈍化層和應(yīng)力緩沖層，在微電子工業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。聚酰亞胺薄膜不僅可以作為芯片(初更鈍化)的鈍化膜，也可以與無機(jī)鈍化膜(如Si 02)結(jié)合形成復(fù)合鈍化膜(較次鈍化)。PI鈍化膜能有效地阻止電子遷移，防止腐蝕。采用PI鈍化膜的元件具有低的漏電流、較強(qiáng)的力學(xué)性能和耐化學(xué)腐蝕性能。同時(shí)，PI鈍化膜還能有效地阻擋水分，降低元件的吸濕能力。

（3）應(yīng)力緩沖膜PI加熱膜具有緩沖功能，可有效減少因熱應(yīng)力引起的電路開裂和開口，減少后續(xù)加工，包裝和后處理過程中元件的損壞。近年來，所謂的包裝破裂引起了人們的較大關(guān)注。