隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，變頻電機(jī)以其節(jié)能的優(yōu)勢(shì)得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。動(dòng)力電池加熱片聚酰亞胺，是綜合性能更佳的有機(jī)高分子材料之較。其耐高溫達(dá)400℃以上 ，長(zhǎng)期使用溫度范圍-200～300℃，部分無(wú)明顯熔點(diǎn)，高絕緣性能，103 赫下介電常數(shù)4.0，介電損耗僅0.004～0.007，屬F較H。聚酰亞胺電熱膜已成功地應(yīng)用在風(fēng)云系列人造衛(wèi)星，長(zhǎng)征系列運(yùn)載火箭，東風(fēng)﹑紅旗等系列導(dǎo)彈，以及飛機(jī)，艦船，坦克，火炮的陀螺儀，加速度表，火控雷達(dá)等溫控與加熱系統(tǒng)中。聚酰亞胺加熱膜是以聚酰亞胺薄膜為外絕緣體；以金屬箔﹑金屬絲為內(nèi)導(dǎo)電發(fā)熱體，經(jīng)高溫高壓熱合而成。但變頻電機(jī)大多采用脈寬調(diào)制（PWM）驅(qū)動(dòng)脈沖調(diào)速技術(shù)，提高了電機(jī)定子繞組的電壓幅度，導(dǎo)致電機(jī)嚴(yán)重的局部放電（電暈），大大縮短了絕緣系統(tǒng)的壽命。耐電暈聚酰亞胺發(fā)熱膜是延長(zhǎng)電機(jī)定子繞組絕緣系統(tǒng)壽命較直接、較有效的方法。氧化鋁和氧化硅是國(guó)內(nèi)外制備耐電暈聚酰亞胺熱膜的主要納米填料，氧化硅由于粒徑小、摻雜量高而備受關(guān)注。然而，國(guó)內(nèi)外主要采用溶膠-凝膠法制備聚酰亞胺/納米二氧化硅復(fù)合加熱膜是復(fù)雜的，影響因素很多，不適合工業(yè)化生產(chǎn)。

采用共混法研究了納米SiO 2的加入對(duì)復(fù)合加熱膜的力學(xué)性能、電性能和抗電暈性能的影響，并討論了樹(shù)脂體系的固含量對(duì)復(fù)合加熱膜耐電暈性能的影響。結(jié)果表明，隨著SiO 2添加量的增加，加熱膜的拉伸強(qiáng)度變化不大，但斷裂伸長(zhǎng)率明顯降低，電強(qiáng)度先降低，當(dāng)SiO 2含量為6%時(shí)，電強(qiáng)度達(dá)到較大值，電暈電阻提高。隨著樹(shù)脂固含量的增加，加熱膜的耐電暈性能也得到提高，更佳樹(shù)脂固含量為19%。

通過(guò)共混方法制備納米二氧化硅/聚酰亞胺復(fù)合加熱膜。研究了納米填料添加量對(duì)復(fù)合材料拉伸強(qiáng)度，斷裂伸長(zhǎng)率，電氣強(qiáng)度和電暈電阻的影響。得到以下結(jié)論。 ：

（1）納米SiO 2對(duì)復(fù)合熱膜的拉伸強(qiáng)度影響不大，但隨著納米SiO 2的加入，復(fù)合熱膜的斷裂伸長(zhǎng)減小。

(2)隨著納米SiO 2含量的增加，其電學(xué)強(qiáng)度先增大后減小。當(dāng)納米SiO 2含量為6%時(shí)，純PI薄膜的電強(qiáng)度達(dá)到較大值，從162 mV/m提高到248 mV/m。

（3）與純聚酰亞胺薄膜相比，納米SiO-U 2/聚酰亞胺復(fù)合熱膜的耐電暈性能有了很大提高。當(dāng)SiO_2含量為15%時(shí)，復(fù)合熱膜的耐電暈壽命比純?chǔ)心ぴ?kv電壓下的耐電暈壽命長(zhǎng)20倍，比純?chǔ)心ぴ?kv電壓下的耐電暈壽命長(zhǎng)30倍。

（4）納米SiO-U 2/聚酰亞胺復(fù)合熱膜耐電暈性能隨樹(shù)脂體系固含量的增加而增加，當(dāng)樹(shù)脂固含量為19%時(shí)，不影響樹(shù)脂的流平性，耐電暈性能較好。