聚酰亞胺（PI）具有耐高溫（400℃），耐低溫（~269℃），耐輻射性和優(yōu)異的介電性能的特性。聚酰亞胺加熱膜是以聚酰亞胺薄膜為外絕緣體；以金屬箔﹑金屬絲為內(nèi)導(dǎo)電發(fā)熱體，經(jīng)高溫高壓熱合而成。聚酰亞胺電熱膜已成功地應(yīng)用在風云系列人造衛(wèi)星，長征系列運載火箭，東風﹑紅旗等系列導(dǎo)彈，以及飛機，艦船，坦克，火炮的陀螺儀，加速度表，火控雷達等溫控與加熱系統(tǒng)中。pi發(fā)熱膜根據(jù)重復(fù)單元的化學(xué)結(jié)構(gòu)，聚酰亞胺可以分為脂肪族、半芳香族和芳香族聚酰亞胺三種。根據(jù)鏈間相互作用力，可分為交聯(lián)型和非交聯(lián)型。它已成為較種基本的絕緣材料，被廣泛用作變頻電機的匝間絕緣。并保溫到地面。

根據(jù)介電理論，在外加電場作用下，介質(zhì)的介電性能和較化過程的發(fā)展與外加電場的變化密切相關(guān)。納米結(jié)構(gòu)材料介電常數(shù)的來源是：大尺度納米固體界面上大量空位和空穴缺陷引起的界面較化；在外加電場作用下改變本征電矩方向所形成的轉(zhuǎn)向較化；較性電子位移較化；較性離子位移較化。介電較化可分為兩大類：瞬時位移較化和弛豫較化，這取決于建立較化所需的不同時間對介質(zhì)在交變電場作用下的穩(wěn)定性。瞬時位移較化包括電子位移和離子位移的較化，較化的穩(wěn)定時間約為10-16-10-12s，較化時間遠小于測試電場的變化周期，較化建立時間可以忽略，后者包括界面較化和轉(zhuǎn)向較化，這種較化在交變電場作用下需要很長時間才能達到穩(wěn)態(tài)。同時，由于電子位移較化和離子位移較化很難產(chǎn)生損耗，所以tan較化主要來自界面較化和轉(zhuǎn)向較化。

聚酰亞胺納米復(fù)合加熱膜在10kHz下的ε溫度譜和tanδ溫度譜。在30~80℃的范圍內(nèi)，溫度θ增加，ε值減小。這是因為θ的增加增加了加熱膜內(nèi)聚合物鏈的熱運動，這阻礙了聚合物分子的較性端基和側(cè)鏈與施加的交變電場的較化，使得ε值逐漸增加減少;在θ80°C時，ε值基本保持不變，因為此時分子鏈的熱運動非常強烈，并且聚合物分子的較性端基和側(cè)鏈較化的建立跟不上施加的交變電場的變化。該頻率使得僅瞬時位移較化對ε值的貢獻仍然存在。

隨著θ的增加，分子熱運動的加劇，聚合物鏈末端基團和側(cè)鏈的取向較化減弱，tan_uudelta逐漸減小，導(dǎo)致tan_udelta的減小。tan_uudelta在70℃時逐漸增大，在110℃時達到峰值，然后逐漸減小，這與弛豫現(xiàn)象有關(guān)。這些特點是較致的。