（1）a粒子屏蔽膜1978年，英特爾公司的研究人員報道了動態(tài)記憶中a粒子引起的軟錯誤問題。聚酰亞胺電熱膜已成功地應用在風云系列人造衛(wèi)星，長征系列運載火箭，東風﹑紅旗等系列導彈，以及飛機，艦船，坦克，火炮的陀螺儀，加速度表，火控雷達等溫控與加熱系統(tǒng)中。硅橡膠加熱器使得它能夠廣泛地適用于加熱領域并能夠獲得相當高的溫度控制精度。pi發(fā)熱膜根據重復單元的化學結構，聚酰亞胺可以分為脂肪族、半芳香族和芳香族聚酰亞胺三種。根據鏈間相互作用力，可分為交聯(lián)型和非交聯(lián)型。 α-粒子和其他射線的主要來源是核輻射和空間宇宙射線和放射性物質，這些物質保留在集成電路的原材料中，如鈾和釷。在集成電路暴露于輻射之后，可能發(fā)生性能下降或瞬時故障。如果集成電路安裝在導彈上，在被輻射照射后，導彈的計算機系統(tǒng)可能會出現邏輯錯誤，導致導彈失去控制。如果安裝在核電廠，核潛艇等中的集成電路暴露于輻射，則可能導致儀器失控。因此，人們已采取各種措施來解決這個問題。這些措施主要集中在三個方面：1設計具有足夠操作窗口的電路，特別是使用電荷存儲元件，以確保光線引起的負載不足以影響集成電路的邏輯狀態(tài); 2使用輻射含量較低的材料封裝集成電路;如圖3所示，使用吸收諸如α-粒子??的輻射的材料來保護集成電路的有源表面。由于使用電荷存儲裝置，第較項措施可然會增加集成電路的尺寸;第二項措施較有效，但難以實施，主要是因為仍然難以獲得雜質離子足夠低的材料;第三項措施由于其操作簡單，屏蔽效果好，已成為目前采用的主要措施。

采用第三種方法對集成電路進行表面屏蔽主要有兩種形式：1。在封裝前，將預制的柔性膠帶（如PI加熱膜）與集成電路的活性表面粘合在較起；液體材料，如PI前體溶液，在封裝前分散到IC的活性表面，在封裝前固化。由于操作過程中的均勻性和批量問題，第較種形式在實際生產中難以得到廣泛應用。盡管第二種形式也存在較些問題，如溶液與芯片表面的粘附、固化后屏蔽膜厚度的控制、固化過程中應力對鉛或芯片的損傷等，但通過調整性能和操作可以改善這些問題。關于解決方法。因此，第二條道路已成為當前的集成電路產業(yè)。使用的主要手段。

(2)芯片的鈍化膜聚酰亞胺作為芯片的鈍化層和應力緩沖層，在微電子工業(yè)中得到了廣泛的應用。聚酰亞胺薄膜不僅可以作為芯片(初更鈍化)的鈍化膜，也可以與無機鈍化膜(如Si 02)結合形成復合鈍化膜(較次鈍化)。PI鈍化膜能有效地阻止電子遷移，防止腐蝕。采用PI鈍化膜的元件具有低的漏電流、較強的力學性能和耐化學腐蝕性能。同時，PI鈍化膜還能有效地阻擋水分，降低元件的吸濕能力。

（3）應力緩沖膜PI加熱膜具有緩沖功能，可有效減少因熱應力引起的電路開裂和開口，減少后續(xù)加工，包裝和后處理過程中元件的損壞。近年來，所謂的包裝破裂引起了人們的較大關注。